BSP88H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon e BSP92PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSP88H6327XTSA1 | BSP92PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,21 | $0,31 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | -250 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | -260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 1.8 W (Ta) |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Configuration | Single | — |
| Temperatura de operação | -55 C to +150 C | -55C to +150C (Tj) |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET |
| Channel Polarity | — | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Contagem de pinos | — | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) |