BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon y BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP88H6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,18
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1 W (Ta)
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Recuento de pines — 3 (Gate / Drain / Source)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

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