BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSP88H6327XTSA1 от Infineon и BSS87H6327FTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSP88H6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,21 | $0,18 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 1 W (Ta) |
| Корпус | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | — |
| Рабочая температура | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C (junction) |
| Число выводов | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |