BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon e BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP88H6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,18
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1 W (Ta)
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Temperatura de operação -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Contagem de pinos — 3 (Gate / Drain / Source)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Fichas técnicas e recursos

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