BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP88H6327XTSA1 par Infineon et BSS87H6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP88H6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,18
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1 W (Ta)
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Nombre de broches — 3 (Gate / Drain / Source)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Fiches techniques et ressources

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