BSP92PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP92PH6327XTSA1 por Infineon y BSP135H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP92PH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,31 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 120 mA
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Nivel MSL 1 (unlimited) 1
Recuento de pines 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSP135H6327XTSA1
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction, typical)
Estado RoHS — Compliant

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