BSP92PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP92PH6327XTSA1 par Infineon et BSP135H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP92PH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,31 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 120 mA
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL 1 (unlimited) 1
Nombre de broches 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSP135H6327XTSA1
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis