BSP92PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP92PH6327XTSA1 por Infineon e BSP135H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSP92PH6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,31 | $0,43 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| Tipo de transistor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| Temperatura de operação | -55C to +150C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Contagem de pinos | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | — |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| FET Type | — | N-Channel, Depletion Mode |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |
| Technology | — | SIPMOS (planar DMOS) |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| Status RoHS | — | Compliant |