BSS119NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS119NH6327XTSA1 por Infineon y 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS119NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,12 $0,08
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (Tj)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) Industrial / Commercial Grade
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización