BSS119NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS119NH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS119NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,08
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (Tj)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) Industrial / Commercial Grade
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

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