BSS119NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS119NH6327XTSA1 von Infineon und 2N7002H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS119NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,08
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (Tj)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) Industrial / Commercial Grade
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement

Datenblätter & Ressourcen

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