BSS123IXTSA1 vs 2N7002L Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS123IXTSA1 por Infineon y 2N7002L por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS123IXTSA1 2N7002L
Marca Infineon onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,03
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS Small-Signal High cell density trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1 V to 2.5 V
Encapsulado PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel Single FET
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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