BSS123IXTSA1 vs 2N7002L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS123IXTSA1 par Infineon et 2N7002L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS123IXTSA1 2N7002L
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,03
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Technology OptiMOS Small-Signal High cell density trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1 V to 2.5 V
Boîtier PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel Single FET
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fiches techniques et ressources

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