BSS214NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSS214NH6327XTSA1 por Infineon y BSP149H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSS214NH6327XTSA1 | BSP149H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,09 | $0,60 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.5 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 250 mOhm at VGS = 4.5 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±12 V (recommended) | — |
| Technology | OptiMOS 2 (planar N-channel) | SIPMOS |
| Encapsulado | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Lead Finish | Pb-free lead plating (matte tin) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ESD Protection | Yes (gate ESD diode) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Mode of Operation | — | Depletion Mode (normally ON) |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 200 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 660 mA (Ta) |
| Power Dissipation PD | — | 1.8 W (Ta) |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1 ohm (typ) |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +150 C (Tj) |
| Channel Count | — | 1 |
| Recuento de pines | — | 4 (G, D, S, tab) |
| Configuration | — | Single |