BSS214NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS214NH6327XTSA1 por Infineon e BSP149H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS214NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,09 $0,60
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) SIPMOS
Encapsulamento SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Temperatura de operação — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Contagem de pinos — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação