BSS214NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS214NH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP149H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 - 200V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP149H6327XTSA1 - 200V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP149H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS214NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.09 $0.60
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) SIPMOS
パッケージ SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
動作温度 — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
ピン数 — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼