BSS306NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS306NH6327XTSA1 por Infineon y 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS306NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,14 $0,08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulado SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial / Commercial Grade
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Channel Mode — Enhancement
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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