BSS306NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS306NH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS306NH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,14 | $0,08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS306NH6327XTSA1 | — |
| Part Family | BSS306N (OptiMOS Small Signal) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) max | [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max in V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Boîtier | SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Industrial / Commercial Grade |
| Lead Plating | Pb-free (RoHS compliant) | — |
| Configuration | Single N-Channel, 3-pin | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (Tj) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |