BSS306NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS306NH6327XTSA1 von Infineon und 2N7002H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS306NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gehäuse SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial / Commercial Grade
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Channel Mode — Enhancement
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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