BSS83PH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSS83PH6327XTSA1 por Infineon y 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSS83PH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,11 | $0,08 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 C to +150 C | — |
| Encapsulado | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | Industrial / Commercial Grade |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C (Tj) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Nivel MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |