BSS83PH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS83PH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS83PH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,11 | $0,08 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | Industrial / Commercial Grade |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (Tj) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |