BSS83PH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSS83PH6327XTSA1 por Infineon e 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSS83PH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,11 | $0,08 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +150 C | — |
| Encapsulamento | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | Industrial / Commercial Grade |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C (Tj) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |