BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ036NE2LSATMA1 por Infineon y BSZ150N10LS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ036NE2LSATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Nivel MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
Disipación de potencia (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

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