BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSZ150N10LS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ036NE2LSATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
動作温度範囲 -55C to +150C —
MSLレベル 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
消費電力(TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

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