BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon et BSZ150N10LS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ036NE2LSATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Niveau MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

Fiches techniques et ressources

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