BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSZ065N06LS5ATMA1 por Infineon y IPD380P06NMATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSZ065N06LS5ATMA1 | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,62 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS P-channel trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C (junction) |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | — | 35 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Nivel MSL | — | 1 |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Lead-Free | — | Yes |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |