BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSZ065N06LS5ATMA1 제조: Infineon 및 IPD380P06NMATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ 활성
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IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSZ065N06LS5ATMA1 IPD380P06NMATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.62 $0.49
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
패키지 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
연속 드레인 전류 (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
MSL 레벨 — 1
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

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