BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N06LS5ATMA1 par Infineon et IPD380P06NMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N06LS5ATMA1 | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS P-channel trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C (junction) |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 35 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Lead-Free | — | Yes |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |