BTS3035TFATMA1 vs BTS3060TFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3035TFATMA1 por Infineon y BTS3060TFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3035TFATMA1 BTS3060TFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $0,65
Product Type Low-Side Power Switch Smart Low-Side Power Switch
Technology N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 1
Input Type CMOS Logic Level Logic-level gate input (3.3V / 5V compatible)
Continuous Drain Current 5 A —
On-Resistance (RDS(on)) 30 mOhm (typical) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Operating Voltage Range 12 V nominal (load-dump tolerant to 40 V) —
Fault Protection Over-current, Short-circuit, Over-temperature, ESD —
Status Feedback Yes (open-drain diagnostic output) —
Reverse Battery Protection Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +150C (junction) -40°C to +150°C (junction)
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2+Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade AEC-Q100 qualified —
Manufacturer Family — HITFET
On-Resistance (RDS(on) typ) — 50 mΩ at 25°C
Maximum Continuous Load Current — 3 A
Maximum Load Supply Voltage — 42 V
Tipo de transistor — N-Channel Vertical Power MOSFET (monolithically integrated)
Switch Configuration — Low-Side, 1:1
Diagnostic Output — Status pin (open-drain, requires pull-up)
Embedded Protection — Overcurrent, Overtemperature, Overvoltage, Open-load detection
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape & Reel (TF suffix)

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