CSD17303Q5 vs CSD18503Q5A Comparación

Comparación detallada lado a lado de CSD17303Q5 por Texas Instruments y CSD18503Q5A por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro CSD17303Q5 CSD18503Q5A
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $0,85
Polarity N-Channel N-Channel
Vds Drain-Source Voltage 30 V —
Id Continuous Drain Current (Ta) 32 A —
Id Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Rds(on) On-Resistance 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Gate Drive Optimization 5 V —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Avalanche Rated Yes —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Terminal Plating Pb-free —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Sin halógenos Yes —
Technology NexFET NexFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 120 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Número de pines — 8

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