CSD17303Q5 vs CSD18503Q5A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de CSD17303Q5 por Texas Instruments e CSD18503Q5A por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro CSD17303Q5 CSD18503Q5A
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $0,85
Polarity N-Channel N-Channel
Vds Drain-Source Voltage 30 V —
Id Continuous Drain Current (Ta) 32 A —
Id Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Rds(on) On-Resistance 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Gate Drive Optimization 5 V —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Avalanche Rated Yes —
Temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Terminal Plating Pb-free —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Livre de halogênio Yes —
Technology NexFET NexFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 120 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Número de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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