CSD17303Q5 vs CSD18503Q5A Сравнение

Подробное сравнение бок о бок CSD17303Q5 от Texas Instruments и CSD18503Q5A от Texas Instruments. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Активен
Texas Instruments
CSD18503Q5A CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments

CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments

CSD18503Q5A ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр CSD17303Q5 CSD18503Q5A
Бренд Texas Instruments Texas Instruments
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,65 $0,85
Polarity N-Channel N-Channel
Vds Drain-Source Voltage 30 V —
Id Continuous Drain Current (Ta) 32 A —
Id Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Rds(on) On-Resistance 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Gate Drive Optimization 5 V —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Avalanche Rated Yes —
Рабочая температура -55C to +150C —
Корпус VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Terminal Plating Pb-free —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Без галогенов Yes —
Technology NexFET NexFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 120 W
Рабочая температура перехода — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Количество выводов — 8

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену