CSD17303Q5 vs CSD18503Q5A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CSD17303Q5 von Texas Instruments und CSD18503Q5A von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter CSD17303Q5 CSD18503Q5A
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,85
Polarity N-Channel N-Channel
Vds Drain-Source Voltage 30 V —
Id Continuous Drain Current (Ta) 32 A —
Id Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Rds(on) On-Resistance 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Gate Drive Optimization 5 V —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Avalanche Rated Yes —
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Gehäuse VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Terminal Plating Pb-free —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Halogenfrei Yes —
Technology NexFET NexFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 120 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Anzahl der Pins — 8

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern