CY14V104LA-BA25XIT vs CY14V104LA-BA25XI Comparación
Comparación detallada lado a lado de CY14V104LA-BA25XIT por Infineon y CY14V104LA-BA25XI por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | CY14V104LA-BA25XIT | CY14V104LA-BA25XI |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,36 | $0,72 |
| Tipo de memoria | nvSRAM (non-volatile SRAM) | nvSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Tamaño de memoria | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Organización de memoria | 512K x 8 | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Access Time | 25 ns | 25 ns |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Core Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| I/O Supply Voltage (VCCQ) | 1.65 V to 1.95 V | — |
| STORE Cycles | 1 million | — |
| Data Retention | 20 years | 20 years |
| Read/Write/RECALL Cycles | Infinite | — |
| AutoStore | Yes (external VCAP 61 uF to 180 uF) | — |
| Non-volatile Technology | QuantumTrap | — |
| Encapsulado | 48-FBGA (6x10 mm), TFBGA | 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tensión de alimentación | — | 3 V (typical 3.3 V) |
| Temperatura de funcionamiento | — | -40C to +85C |
| STORE Cycle Endurance | — | 1,000,000 cycles minimum |
| SRAM Read/Write Endurance | — | Unlimited (infinite SRAM cycles) |
| Address Bus (x8 mode) | — | A0 to A18 |
| Address Bus (x16 mode) | — | A0 to A17 with BHE/BLE byte enables |
| Non-Volatile Functions | — | Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin |
| Grade | — | Industrial |