CY14V104LA-BA25XIT vs CY14V104LA-BA25XI 비교
다음의 상세 나란히 비교: CY14V104LA-BA25XIT 제조: Infineon 및 CY14V104LA-BA25XI 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | CY14V104LA-BA25XIT | CY14V104LA-BA25XI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.36 | $0.72 |
| 메모리 유형 | nvSRAM (non-volatile SRAM) | nvSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | 4 Mbit |
| 메모리 구성 | 512K x 8 | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Access Time | 25 ns | 25 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Core Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| I/O Supply Voltage (VCCQ) | 1.65 V to 1.95 V | — |
| STORE Cycles | 1 million | — |
| Data Retention | 20 years | 20 years |
| Read/Write/RECALL Cycles | Infinite | — |
| AutoStore | Yes (external VCAP 61 uF to 180 uF) | — |
| Non-volatile Technology | QuantumTrap | — |
| 패키지 | 48-FBGA (6x10 mm), TFBGA | 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 공급 전압 | — | 3 V (typical 3.3 V) |
| 동작 온도 | — | -40C to +85C |
| STORE Cycle Endurance | — | 1,000,000 cycles minimum |
| SRAM Read/Write Endurance | — | Unlimited (infinite SRAM cycles) |
| Address Bus (x8 mode) | — | A0 to A18 |
| Address Bus (x16 mode) | — | A0 to A17 with BHE/BLE byte enables |
| Non-Volatile Functions | — | Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin |
| Grade | — | Industrial |