CY14V104LA-BA25XIT vs CY14V104LA-BA25XI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14V104LA-BA25XIT von Infineon und CY14V104LA-BA25XI von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
CY14V104LA-BA25XIT CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT ✓ Aktiv
Infineon
CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14V104LA-BA25XIT CY14V104LA-BA25XI
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,36 $0,72
Speichertyp nvSRAM (non-volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße 4 Mbit 4 Mbit
Speicherorganisation 512K x 8 512K x 8 / 256K x 16
Access Time 25 ns 25 ns
Schnittstelle Parallel Parallel
Core Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
I/O Supply Voltage (VCCQ) 1.65 V to 1.95 V —
STORE Cycles 1 million —
Data Retention 20 years 20 years
Read/Write/RECALL Cycles Infinite —
AutoStore Yes (external VCAP 61 uF to 180 uF) —
Non-volatile Technology QuantumTrap —
Gehäuse 48-FBGA (6x10 mm), TFBGA 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial —
RoHS-Status Compliant Compliant
Versorgungsspannung — 3 V (typical 3.3 V)
Betriebstemperatur — -40C to +85C
STORE Cycle Endurance — 1,000,000 cycles minimum
SRAM Read/Write Endurance — Unlimited (infinite SRAM cycles)
Address Bus (x8 mode) — A0 to A18
Address Bus (x16 mode) — A0 to A17 with BHE/BLE byte enables
Non-Volatile Functions — Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin
Grade — Industrial

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