EP3C16F256I7 vs EP3C16F256I7N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3C16F256I7 por Intel y EP3C16F256I7N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3C16F256I7 EP3C16F256I7N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Device Type Cyclone III Field Programmable Gate Array (FPGA) —
Logic Elements 15,408 logic elements —
Logic Array Blocks 963 LABs —
User I/O Count 168 I/Os —
Embedded Memory 516,096 bits 56 M9K blocks (504 Kbit)
Maximum Frequency 437.5 MHz —
Core Supply Voltage 1.2 V —
Encapsulado 256-LBGA (FBGA) 256-ball FBGA (17 mm x 17 mm, 1.0 mm pitch)
Total Terminals 256 terminals —
Temperatura de funcionamiento -40°C to 125°C -40C to +100C (industrial, I7)
Tipo de montaje Surface mount —
Lead-Free Status Lead free —
MSL Classification [DATA_NEEDED: MSL classification] —
Programmable Logic FPGA logic array with 15,408 logic elements —
I/O Standards [DATA_NEEDED: supported I/O standards] —
Tipo de memoria [DATA_NEEDED: embedded memory organization and block count] —
PLL Count [DATA_NEEDED: PLL count] —
Differential I/O [DATA_NEEDED: differential I/O capability] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LEs) — 15408
Logic Array Blocks (LABs) — 963
Total Memory Bits — 516096
Embedded 18x18 Multipliers — 56
PLLs — 4
Maximum User I/O Pins — 168
Supply Voltage (Core) — 1.2 V typical
Process Technology — TSMC 60 nm low-leakage
Configuration — SRAM-based, requires external config device (EPCS/EPCQ)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (N suffix per JEDEC JESD97)
RoHS Compliance — Compliant

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