EP3C16F256I7 vs EP3C16F256I7N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3C16F256I7 par Intel et EP3C16F256I7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3C16F256I7 EP3C16F256I7N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Actif
Device Type Cyclone III Field Programmable Gate Array (FPGA) —
Logic Elements 15,408 logic elements —
Logic Array Blocks 963 LABs —
User I/O Count 168 I/Os —
Embedded Memory 516,096 bits 56 M9K blocks (504 Kbit)
Maximum Frequency 437.5 MHz —
Core Supply Voltage 1.2 V —
Boîtier 256-LBGA (FBGA) 256-ball FBGA (17 mm x 17 mm, 1.0 mm pitch)
Total Terminals 256 terminals —
Température de fonctionnement -40°C to 125°C -40C to +100C (industrial, I7)
Type de montage Surface mount —
Lead-Free Status Lead free —
MSL Classification [DATA_NEEDED: MSL classification] —
Programmable Logic FPGA logic array with 15,408 logic elements —
I/O Standards [DATA_NEEDED: supported I/O standards] —
Type de mémoire [DATA_NEEDED: embedded memory organization and block count] —
PLL Count [DATA_NEEDED: PLL count] —
Differential I/O [DATA_NEEDED: differential I/O capability] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LEs) — 15408
Logic Array Blocks (LABs) — 963
Total Memory Bits — 516096
Embedded 18x18 Multipliers — 56
PLLs — 4
Maximum User I/O Pins — 168
Supply Voltage (Core) — 1.2 V typical
Process Technology — TSMC 60 nm low-leakage
Configuration — SRAM-based, requires external config device (EPCS/EPCQ)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (N suffix per JEDEC JESD97)
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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