EP4CGX50DF23C6N vs EP4CGX50DF23C7N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP4CGX50DF23C6N por Intel y EP4CGX50DF23C7N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP4CGX50DF23C6N EP4CGX50DF23C7N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $52,30 $43,20
Family Cyclone IV GX Cyclone IV GX
Logic Elements 49,888 49,888
Configurable Logic Blocks (CLBs) 3,118 3,118
Embedded Memory 2,340 Kbits —
Process Technology 60 nm 60 nm
Core Voltage 1.2 V —
Number of Pins / Balls 484 —
Package Type 484-ball FBGA (PBGA) —
JEDEC Package Code S-PBGA-B484 —
User I/O 218 —
Transceiver Channels Up to 8 —
Maximum Transceiver Data Rate 3.125 Gbps —
Operating Temperature Grade Commercial —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Configuration Method JTAG / Passive Serial / Active Serial —
Total RAM Bits — 2,432 Kbit (≈ 304 KB)
Embedded 18x18 Multipliers — 66
PLLs — 2
Global Clock Networks — 8 (with up to 16 clock pins per region)
Number of I/O Pins — 290
Transceivers — Up to 8 channels, 3.125 Gbps
Core Supply Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V)
Temperatura de funcionamiento — 0 °C to 85 °C (commercial)
Encapsulado — 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm)
Configuration Modes — Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG
Supported Memory Interfaces — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
Estado RoHS — Compliant (Pb-free variant)
Nivel MSL — 3 (168 hours)

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