EPF10K200EBI600-2N vs EPF10K250EBI600-3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EPF10K200EBI600-2N por Intel y EPF10K250EBI600-3 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Intel
EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N Obsolete
Intel
EPF10K250EBI600-3 EPF10K250EBI600-3 - 250K Gates FLEX 10KE FPGA, 600-BGA | Intel

EPF10K250EBI600-3 - 250K Gates FLEX 10KE FPGA, 600-BGA | Intel

EPF10K250EBI600-3 ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro EPF10K200EBI600-2N EPF10K250EBI600-3
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Obsolete Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $140,00 $110,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Typical Gates 200,000 —
Maximum System Gates 513,000 —
Logic Elements (LEs) 9,984 —
Embedded Array Blocks (EABs) 12 —
Total RAM Bits 98,304 —
User I/O Pins 470 —
Dedicated Inputs 6 4
Encapsulado 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch) 600-ball BGA (HBGA)
Technology / Process 0.22 µm CMOS SRAM —
Core Supply Voltage 2.5 V (2.3 V to 2.7 V) —
I/O Supply Voltage 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available) —
Propagation Delay 0.4 ns to 0.6 ns (per LE) —
Maximum Internal Frequency 200 MHz —
Temperatura de funcionamiento 0 °C to +70 °C (commercial) Industrial, 0C to +85C [DATA_NEEDED: confirm -40C to +85C range]
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM SRAM, requires external configuration device (EPC series)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Not specified (SnPb / tin-lead finish per legacy distributor listing)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Logic Elements — 12,160
Typical Gate Count — 250,000 system gates
Embedded System Blocks (ESBs) — 12
Maximum User I/O — 470
PLLs — 4
On-chip RAM — Up to 40 Kbits
Ball Pitch — 1.93 mm
Core Voltage — 2.3 V (FLEX 10KE standard) [DATA_NEEDED: confirm exact VCCINT]
Speed Grade — -3 (fastest)
Process Technology — 0.22 µm CMOS, 4-layer metal
Lead-free — no (legacy tin-lead per distributor description)

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