EPF10K200EBI600-2N vs EPF10K250EBI600-3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K200EBI600-2N par Intel et EPF10K250EBI600-3 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N Obsolete
Intel
EPF10K250EBI600-3 EPF10K250EBI600-3 - 250K Gates FLEX 10KE FPGA, 600-BGA | Intel

EPF10K250EBI600-3 - 250K Gates FLEX 10KE FPGA, 600-BGA | Intel

EPF10K250EBI600-3 ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K200EBI600-2N EPF10K250EBI600-3
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $140,00 $110,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Typical Gates 200,000 —
Maximum System Gates 513,000 —
Logic Elements (LEs) 9,984 —
Embedded Array Blocks (EABs) 12 —
Total RAM Bits 98,304 —
User I/O Pins 470 —
Dedicated Inputs 6 4
Boîtier 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch) 600-ball BGA (HBGA)
Technology / Process 0.22 µm CMOS SRAM —
Core Supply Voltage 2.5 V (2.3 V to 2.7 V) —
I/O Supply Voltage 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available) —
Propagation Delay 0.4 ns to 0.6 ns (per LE) —
Maximum Internal Frequency 200 MHz —
Température de fonctionnement 0 °C to +70 °C (commercial) Industrial, 0C to +85C [DATA_NEEDED: confirm -40C to +85C range]
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM SRAM, requires external configuration device (EPC series)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Not specified (SnPb / tin-lead finish per legacy distributor listing)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Logic Elements — 12,160
Typical Gate Count — 250,000 system gates
Embedded System Blocks (ESBs) — 12
Maximum User I/O — 470
PLLs — 4
On-chip RAM — Up to 40 Kbits
Ball Pitch — 1.93 mm
Core Voltage — 2.3 V (FLEX 10KE standard) [DATA_NEEDED: confirm exact VCCINT]
Speed Grade — -3 (fastest)
Process Technology — 0.22 µm CMOS, 4-layer metal
Lead-free — no (legacy tin-lead per distributor description)

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