EPF6010ATI100-2N vs EPF6010ATC100-3N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EPF6010ATI100-2N por Intel y EPF6010ATC100-3N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro EPF6010ATI100-2N EPF6010ATC100-3N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Obsolete Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $11,50 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
System Gates 10,000 —
Logic Elements / Cells 880 880
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
Maximum User I/O 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Core Supply Voltage 3.3 V —
I/O Supply Voltage 3.3 V (5 V tolerant input) —
Maximum Internal Frequency 166.67 MHz 142.86 MHz
Configuration Method SRAM, serial/parallel via EPC PROM or JTAG —
Encapsulado TQFP-100 (Fine-line BGA-100 equivalent land pattern) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +85 °C (Industrial) —
Estado RoHS Unknown - legacy Altera-era product Compliant
Lead-Free Unknown —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Speed Grade — -3
Temperatura de funcionamiento — 0 °C to +70 °C (commercial)
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

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