EPF6010ATI100-2N vs EPF6010ATC100-3N 比較

詳細な並列比較: EPF6010ATI100-2N メーカー: Intel および EPF6010ATC100-3N メーカー: Intel。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ ラストタイムバイ

仕様比較

パラメータ EPF6010ATI100-2N EPF6010ATC100-3N
ブランド Intel Intel
カテゴリ FPGA & CPLD FPGA & CPLD
ライフサイクル状態 Obsolete ラストバイ
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $11.50 $9.95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
System Gates 10,000 —
Logic Elements / Cells 880 880
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
Maximum User I/O 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Core Supply Voltage 3.3 V —
I/O Supply Voltage 3.3 V (5 V tolerant input) —
Maximum Internal Frequency 166.67 MHz 142.86 MHz
Configuration Method SRAM, serial/parallel via EPC PROM or JTAG —
パッケージ TQFP-100 (Fine-line BGA-100 equivalent land pattern) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
動作温度範囲 -40 °C to +85 °C (Industrial) —
RoHS ステータス Unknown - legacy Altera-era product Compliant
Lead-Free Unknown —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Speed Grade — -3
動作温度 — 0 °C to +70 °C (commercial)
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

データシート&リソース

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