EPF6010ATI100-2N vs EPF6010ATC100-3N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF6010ATI100-2N par Intel et EPF6010ATC100-3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF6010ATI100-2N EPF6010ATC100-3N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $11,50 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
System Gates 10,000 —
Logic Elements / Cells 880 880
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
Maximum User I/O 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Core Supply Voltage 3.3 V —
I/O Supply Voltage 3.3 V (5 V tolerant input) —
Maximum Internal Frequency 166.67 MHz 142.86 MHz
Configuration Method SRAM, serial/parallel via EPC PROM or JTAG —
Boîtier TQFP-100 (Fine-line BGA-100 equivalent land pattern) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +85 °C (Industrial) —
Statut RoHS Unknown - legacy Altera-era product Compliant
Lead-Free Unknown —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Speed Grade — -3
Température de fonctionnement — 0 °C to +70 °C (commercial)
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

Fiches techniques et ressources

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