EPF6010ATI100-2N vs EPF6010ATC100-3N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de EPF6010ATI100-2N por Intel e EPF6010ATC100-3N por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compra

Comparação de especificações

Parâmetro EPF6010ATI100-2N EPF6010ATC100-3N
Marca Intel Intel
Categoria FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Status do ciclo de vida Obsolete Última compra
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $11,50 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
System Gates 10,000 —
Logic Elements / Cells 880 880
Logic Array Blocks (LABs) 88 88
Maximum User I/O 71 —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Core Supply Voltage 3.3 V —
I/O Supply Voltage 3.3 V (5 V tolerant input) —
Maximum Internal Frequency 166.67 MHz 142.86 MHz
Configuration Method SRAM, serial/parallel via EPC PROM or JTAG —
Encapsulamento TQFP-100 (Fine-line BGA-100 equivalent land pattern) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +85 °C (Industrial) —
Status RoHS Unknown - legacy Altera-era product Compliant
Lead-Free Unknown —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 3 (168 hours)
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Speed Grade — -3
Temperatura de operação — 0 °C to +70 °C (commercial)
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação