EPF6016ATC100-3 vs EPF6010ATC100-3N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EPF6016ATC100-3 por Intel y EPF6010ATC100-3N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro EPF6016ATC100-3 EPF6010ATC100-3N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $11,40 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
Logic Elements (LEs) 1320 —
Typical Gates 16000 —
User I/Os 81 71
Internal Frequency 142.86 MHz —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Supply Voltage (Core) 3.3 V —
Speed Grade -3 -3
Encapsulado 100-pin TQFP 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Recuento de pines 100 —
Temperatura de funcionamiento 0°C to 85°C 0 °C to +70 °C (commercial)
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), ByteBlaster/BitBlaster —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS [DATA_NEEDED: current RoHS status - older FLEX 6000 parts often non-RoHS] Compliant
Logic Elements / Cells — 880
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
Logic Array Blocks (LABs) — 88
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Maximum Internal Frequency — 142.86 MHz
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster
Nivel MSL — 3 (168 hours)

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