EPF6016ATC100-3 vs EPF6010ATC100-3N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de EPF6016ATC100-3 por Intel e EPF6010ATC100-3N por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compra

Comparação de especificações

Parâmetro EPF6016ATC100-3 EPF6010ATC100-3N
Marca Intel Intel
Categoria FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Status do ciclo de vida NRND Última compra
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $11,40 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
Logic Elements (LEs) 1320 —
Typical Gates 16000 —
User I/Os 81 71
Internal Frequency 142.86 MHz —
Process Technology 0.42 µm CMOS SRAM 0.42 µm CMOS
Supply Voltage (Core) 3.3 V —
Speed Grade -3 -3
Encapsulamento 100-pin TQFP 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Contagem de pinos 100 —
Temperatura de operação 0°C to 85°C 0 °C to +70 °C (commercial)
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), ByteBlaster/BitBlaster —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: current RoHS status - older FLEX 6000 parts often non-RoHS] Compliant
Logic Elements / Cells — 880
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
Logic Array Blocks (LABs) — 88
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Maximum Internal Frequency — 142.86 MHz
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster
Nível MSL — 3 (168 hours)

Fichas técnicas e recursos

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