FDV301N vs 2N7002LT1G Comparación

Comparación detallada lado a lado de FDV301N por onsemi y 2N7002LT1G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FDV301N 2N7002LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,08 $0,02
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS MOSFET
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Número de pines — 3
Categoría — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

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