FDV301N vs 2N7002LT1G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von FDV301N von onsemi und 2N7002LT1G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter FDV301N 2N7002LT1G
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,08 $0,02
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS MOSFET
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Anzahl der Pins — 3
Kategorie — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Datenblätter & Ressourcen

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