FDV301N vs 2N7002LT1G Сравнение

Подробное сравнение бок о бок FDV301N от onsemi и 2N7002LT1G от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр FDV301N 2N7002LT1G
Бренд onsemi onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,08 $0,02
Тип транзистора N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS MOSFET
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Количество выводов — 3
Категория — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену